Investigadores en el SAIT, que es el Instituto Avanzado de Tecnología de Samsung, han perfeccionado una tecnología que permitirá crear transistores nuevos y notoriamente más eficaces en su desempeño general. El uso de grafeno podría ser la clave para lograr la mejora sobre el silicio que se emplea actualmente.
La movilidad electrónica del grafeno, que deriva el carbono, es 200 veces más rápida que la del silicio, por lo que los dispositivos semiconductores con esta tecnología podrían tener un desempeño bastante mejor.
Hasta ahora, el mayor obstáculo para usar grafeno en los transistores era la incapacidad para hacer que pudiera encender y apagar su propiedad de conducción, que está en su naturaleza de origen metálico, pero los ingenieros de Samsung han solucionado esto al integrar una barrera de silicio-grafeno que puede realizar esta función.
Por supuesto que esto es especialmente relevante para Samsung, ya que los semiconductores implican buena parte del éxito de sus operaciones en su tecnología; no obstante, aún no se sabe cuándo o cómo es que Samsung empleará esta innovación.
Referencias: Sammy Hub, Science Mag y EE Times