Samsung ha anunciado que ha dado comienzo a la producción en masa de la primera unidad de memoria de 4 gigabits LPDDR2 para dispositivos móviles basados en la tecnología de 20nm. Esto implica un gran paso en la capacidad de procesamiento que tendrá ese tipo de gadgets en un futuro próximo.
Esto implica, en términos de beneficio para el usuario, que los módulos de memoria ahora serán más pequeños, dejando espacio para que los fabricantes de hardware pongan más cosas dentro de sus dispositivos o los hagan más pequeños, según sea el caso.
En segundo lugar, debido a la alta densidad, se podrá tener 2 GB de memoria en menos espacio que el que se habría ocupado para introducir esa cantidad de RAM usando el proceso de 30nm, por lo tanto, podremos esperar ver dispositivos con memoria RAM de 2 GB con más frecuencia en los teléfonos inteligentes y las tabletas venideras.
Samsung espera que los envíos su LPDDR2 de 4 gigabits ocupen aproximadamente el 13% de los embarques de DRAM en total, el 49% en 2013 y el 63% en 2014, para que sea la tendencia principal de tecnología para DRAM a finales de 2013.
Recientemente llegó información a la red de que el Samsung Galaxy SIII que se venderá en Japón con el carrier NTT DoCoMo tendrá 2 GB de RAM y, aunque no hay confirmación respecto a si la memoria RAM en este teléfono se basa en la nueva tecnología de 20nm o en la anterior de 30nm, es probable que sea la primera.