IBM y Samsung anunciaron la creación de un nuevo chip que promete importantes mejoras de rendimiento y gestión de energía para los dispositivos móviles.
Y es que estos dos grandes de la tecnología afirman que han logrado un gran avance en el diseño de semiconductores. Se trata de un VTFET(Vertical Transport Nanosheet field Effect Transistor), que presenta en su núcleo una arquitectura vertical en lugar del método plano horizontal habitual.
Este nuevo diseño va a permitir que la corriente fluya hacia arriba y hacia abajo por una pila de transistores acomodados verticalmente, en lugar de que la corriente eléctrica fluya de lado a lado como lo hace habitualmente.
Así será posible que quepan también más transistores en la superficie del chip, lo que permitirá que se puedan procesar más cálculos por segundo.
Por lo tanto, al crear más puntos de contacto para los transistores, existirá un mayor flujo de energía y un menor desperdicio.
¿Qué mejoras podrían traer?
Dicho esto, IBM y Samsung señalan que estos chips VTFET podrían ofrecer una «mejora 2 veces mayor en el rendimiento o una reducción del 85% en el uso de la energía» en comparación a los diseños que ofrece actualmente FinFET.
Y no sólo será eso, también afirman que la tecnología VTFET dará lugar a baterías de dispositivos móviles que podrían durar más de una semana sin cargarse, en lugar de días; sin dejar de lado la posibilidad de que existan dispositivos IoT y naves espaciales más potentes.
Por otro lado, IBM y Samsung aún no han dicho cuándo planean comercializar el diseño pero parece todavía estamos muy lejos de que estos diseños VTFET se utilicen en chips de consumo reales.
Pero lo que sí está claro es que no son las únicas empresas que intentan superar la barrera del nanómetro. Justo en julio, Intel anunció que terminará el diseño de chips a escala angstrom para 2024, con su nuevo nodo “Intel 20A” y transistores RibbonFET.
IBM y Samsung en el mundo de los chips
IBM anunció recientemente un avance en el chip de 2 nm para adaptarse a 50 mil millones de transistores en un espacio del tamaño de una uña, pero IBM señaló que la innovación de los VTFET tomará una nueva dirección para los chips, donde no dependerán del mismo enfoque para medir su tamaño.
Asimismo, las empresas también anunciaron que Samsung fabricará chips IBM en un nodo de 5 nm para ser utilizados en plataformas de servidores IBM
En 2018, también anunciaron que Samsung fabricaría chips de 7 nm para IBM utilizados en los servidores Power 10 de IBM, que por cierto ya fueron lanzados a principios de este año.
Sin olvidar que el procesador IBM Telum también es fabricado por Samsung.
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